PULSION 等離子浸沒式等離子注入設備

技術特色

◆超低能量、超高劑量：能量低至20eV(Option)、劑量1E14-1E18 at/cm3

◆占地面積小，節省空間：占地面積比普通的線束離子注入節約50%

◆易于工藝整合：兼容標準的PR剝離，可靠的計量控制，沉積和刻蝕控制，

◆無能量污染

◆更靈活：適用范圍廣，從小樣片到300mm的晶圓， 同時適用于3D結構樣片

應用舉例

◆S/D 或 多晶硅摻雜(DRAM、FLASH)

◆3D摻雜：如FINFET、溝槽

◆大功率器件的背接觸摻雜

◆CMOS圖像傳感器、光電二極管、UV探測器

◆太陽能電池：可提高電池的轉換效率

◆材料的表面處理：如增強材料表面的硬度、附著力、抗腐蝕及耐磨性等

◆材料改性：如硅納米晶合成、滲氮、氫化