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P600科研型分子束外延系統

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P600科研型分子束外延系統

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功能概述
技術指標
安裝條件

關鍵指標:

◆可移動的源法蘭和上下分體式冷屏

◆可配備12個源口

◆冷屏可在1個工作日內更換

◆可用于外延生長GaAs, GaSb, InP, CdTe, HgCdTe, ZnO and GaN材料

◆適用于用于4”, 3”,2”襯底尺寸

 

介紹:

P600科研型MBE配有垂直生長室,生長室有12個泄流源或者其它源的接口。

P600型MBE可配有手動線性晶片傳遞系統,也可配有全自動的中心分配室(CDC)實現全自動的晶片傳遞。

P600型MBE生長室配有可移動的源法蘭。該設計把生長室分成上下兩部分,可徹底的清理冷屏上的沉積物。生長室的冷屏具有非常大的表面積和容積,確保在生長的過程中能夠快速從砷源切換到磷源。

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